| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Betriebsweise | Pulse |
| Prozesstechnologie | LDMOS |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 182 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 10 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.7 |
| Max. Stehwellenverhältnis (VSWR) | 65 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 100000 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 762@65V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 2.8@65V |
| Typische Ausgangskapazität bei Vds (pF) | 201@65V |
| Typischer Vorwärtsgegenwirkleitwert (S) | 44.7 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 2222000 |
| Ausgabeleistung (W) | 1800(Typ) |
| Typischer Leistungsgewinn (dB) | 24 |
| Max. Frequenz (MHz) | 470 |
| Mindestfrequenz (MHz) | 1.8 |
| Typischer Drain-Wirkungsgrad (%) | 74 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -40 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Befestigung | Screw |
| Verpackungshöhe | 4.83(Max) |
| Verpackungsbreite | 10.29(Max) |
| Verpackungslänge | 41.28(Max) |
| Leiterplatte geändert | 5 |
| Lieferantenverpackung | CFMF |
| Stiftanzahl | 5 |
