| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| SVHC | Yes |
| SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
| Automotive | Unknown |
| PPAP | Unknown |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | SiC |
| Konfiguration | Single Dual Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 1200 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 19 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 100 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 28.8@15V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 162@15V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 4818@1000V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 469000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 14 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 33 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 57 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 29 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -40 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Befestigung | Through Hole |
| Verpackungshöhe | 23.6(Max) |
| Verpackungsbreite | 5.21(Max) |
| Verpackungslänge | 16.13(Max) |
| Leiterplatte geändert | 4 |
| Tab | Tab |
| Standard-Verpackungsname | TO |
| Lieferantenverpackung | TO-247 |
| Stiftanzahl | 4 |
| Leitungsform | Through Hole |
