RoHS EU | Compliant with Exemption |
ECCN (USA) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.29.00.95 |
SVHC | Yes |
Automotive | Unknown |
PPAP | Unknown |
Material | SiC |
Konfiguration | Dual |
Kanalmodus | Enhancement |
Kanalart | N |
Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
Max. Drain-Source-Spannung (V) | 1200 |
Max. Gate-Source-Spannung (V) | 15 |
Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 3.6 |
Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 82(Typ) |
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 500 |
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 38 |
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 20.8@15V |
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 236@15V |
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 6710@1000V |
Mindestbetriebstemperatur (°C) | -40 |
Max. Betriebstemperatur (°C) | 125 |
Verpackung | Box |
Befestigung | Screw |
Verpackungshöhe | 12 |
Verpackungsbreite | 33.5 |
Verpackungslänge | 62.8 |
Leiterplatte geändert | 18 |
Stiftanzahl | 18 |