ECCN (USA) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.29.00.95 |
Automotive | No |
PPAP | No |
Kategorie | Power MOSFET |
Material | SiC |
Konfiguration | Dual |
Kanalmodus | Enhancement |
Kanalart | N |
Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
Max. Drain-Source-Spannung (V) | 1700 |
Max. Gate-Source-Spannung (V) | 15 |
Operating Junction Temperature (°C) | -40 to 175 |
Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 916(Typ) |
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 1.86@15V |
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 2988@15V |
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 97300@1200V |
Mindestbetriebstemperatur (°C) | -40 |
Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
Befestigung | Screw |
Verpackungshöhe | 12.2 |
Verpackungsbreite | 65 |
Verpackungslänge | 110 |
Leiterplatte geändert | 13 |
Stiftanzahl | 13 |