RoHS EU | Compliant |
ECCN (USA) | EAR99 |
Part Status | LTB |
HTS | 8542.39.00.01 |
Automotive | No |
PPAP | No |
Kategorie | Power MOSFET |
Konfiguration | Single |
Kanalmodus | Enhancement |
Kanalart | N |
Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
Max. Drain-Source-Spannung (V) | 700 |
Max. Gate-Source-Spannung (V) | 16 |
Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 3.5 |
Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 6 |
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 900@10V |
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 6.8@10V |
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 6.8 |
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 211@400V |
Max. Leistungsaufnahme (mW) | 20500 |
Typische Abfallzeit (ns) | 31 |
Typische Anstiegszeit (ns) | 4.7 |
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 58 |
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 12 |
Mindestbetriebstemperatur (°C) | -40 |
Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
Verpackung | Tube |
Befestigung | Through Hole |
Verpackungshöhe | 16.15(Max) |
Verpackungsbreite | 4.9(Max) |
Verpackungslänge | 10.65(Max) |
Leiterplatte geändert | 3 |
Tab | Tab |
Standard-Verpackungsname | TO |
Lieferantenverpackung | TO-220FP |
Stiftanzahl | 3 |
Leitungsform | Through Hole |