ECCN (USA) | EAR99 |
Part Status | Active |
SVHC | Yes |
SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
Automotive | No |
PPAP | No |
Kategorie | Power MOSFET |
Konfiguration | Single |
Prozesstechnologie | CoolMOS P7 |
Kanalmodus | Enhancement |
Kanalart | N |
Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
Max. Drain-Source-Spannung (V) | 800 |
Max. Gate-Source-Spannung (V) | 20 |
Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 3.5 |
Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 1.5 |
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 1000 |
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 4500@10V |
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 4@10V |
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 4 |
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 80@500V |
Max. Leistungsaufnahme (mW) | 13000 |
Typische Abfallzeit (ns) | 80 |
Typische Anstiegszeit (ns) | 15 |
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 60 |
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 15 |
Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
Befestigung | Surface Mount |
Verpackungsbreite | 6.1 |
Verpackungslänge | 6.6 |
Leiterplatte geändert | 2 |
Tab | Tab |
Standard-Verpackungsname | TO-252 |
Lieferantenverpackung | TO-252 |
Stiftanzahl | 3 |
Leitungsform | Gull-wing |