ECCN (USA) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8542.39.00.01 |
SVHC | Yes |
SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
Automotive | No |
PPAP | No |
Kategorie | Power MOSFET |
Konfiguration | Single |
Prozesstechnologie | CoolMOS P7 |
Kanalmodus | Enhancement |
Kanalart | N |
Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
Max. Drain-Source-Spannung (V) | 800 |
Max. Gate-Source-Spannung (V) | 20 |
Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 3.5 |
Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 1.5 |
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 1000 |
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 4500@10V |
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 4@10V |
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 4 |
Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 1.8 |
Typische Gate-Source-Ladung (nC) | 0.6 |
Typische Umkehr-Erholungsladung (nC) | 1600 |
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 80@500V |
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.5 |
Typische Ausgangskapazität (pF) | 3 |
Max. Leistungsaufnahme (mW) | 6000 |
Typische Abfallzeit (ns) | 80 |
Typische Anstiegszeit (ns) | 15 |
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 60 |
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 15 |
Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
Verpackung | Tape and Reel |
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 2.6 |
Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W) | 160 |
Typische Dioden-Durchlassspannung (V) | 0.9 |
Typische Gate-Plateau-Spannung (V) | 4.5 |
Typische Sperrerholungszeit (ns) | 600 |
Typische Gate-Schwellwertspannung (V) | 3 |
Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 20 |
Befestigung | Surface Mount |
Verpackungshöhe | 1.6 |
Verpackungsbreite | 3.5 |
Verpackungslänge | 6.5 |
Leiterplatte geändert | 2 |
Tab | Tab |
Standard-Verpackungsname | SOT |
Lieferantenverpackung | SOT-223 |
Stiftanzahl | 3 |