| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| SVHC | Yes |
| SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Konfiguration | Single |
| Prozesstechnologie | HEXFET |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 100 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 4 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 175 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 33 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 25 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 44@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 71(Max)@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 71(Max) |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 14(Max) |
| Typische Gate-Source-Ladung (nC) | 14(Max) |
| Typische Umkehr-Erholungsladung (nC) | 505 |
| Typische Schaltladung (nC) | 21(Max) |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 1960@25V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 40@25V |
| Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 2 |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 250@25V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 130000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 35 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 35 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 39 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 11 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Verpackung | Tube |
| Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 110 |
| Typische Gate-Plateau-Spannung (V) | 4.4 |
| Typische Sperrerholungszeit (ns) | 115 |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 1.2 |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 20 |
| Befestigung | Through Hole |
| Verpackungshöhe | 16.13(Max) |
| Verpackungsbreite | 4.83(Max) |
| Verpackungslänge | 10.75(Max) |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Tab | Tab |
| Standard-Verpackungsname | TO |
| Lieferantenverpackung | TO-220AB Full-Pak |
| Stiftanzahl | 3 |
| Leitungsform | Through Hole |
