| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | NRND |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Konfiguration | Single |
| Prozesstechnologie | HEXFET |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 75 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 4 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 128 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 5.8@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 79@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 79 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 4750@50V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 230000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 65 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 64 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 38 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 15 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 4.83(Max) |
| Verpackungsbreite | 9.65(Max) |
| Verpackungslänge | 10.67(Max) |
| Leiterplatte geändert | 2 |
| Tab | Tab |
| Standard-Verpackungsname | TO-263 |
| Lieferantenverpackung | D2PAK |
| Stiftanzahl | 3 |
