RoHS EU | Compliant |
ECCN (USA) | EAR99 |
Part Status | Active |
Automotive | No |
PPAP | No |
Kategorie | Power MOSFET |
Konfiguration | Single |
Prozesstechnologie | HEXFET |
Kanalmodus | Enhancement |
Kanalart | N |
Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
Max. Drain-Source-Spannung (V) | 20 |
Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±12 |
Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 6.3 |
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 21@4.5V |
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 8.9@10V |
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 8.9 |
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 700@16V |
Max. Leistungsaufnahme (mW) | 1300 |
Typische Abfallzeit (ns) | 12 |
Typische Anstiegszeit (ns) | 7.5 |
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 19 |
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 4.9 |
Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
Verpackung | Tape and Reel |
Befestigung | Surface Mount |
Verpackungshöhe | 1.02(Max) |
Verpackungsbreite | 1.4(Max) |
Verpackungslänge | 3.04(Max) |
Leiterplatte geändert | 3 |
Standard-Verpackungsname | SOT |
Lieferantenverpackung | SOT-23 |
Stiftanzahl | 3 |
Leitungsform | Gull-wing |