| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Konfiguration | Single |
| Prozesstechnologie | HEXFET |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | P |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 20 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±12 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 1.2 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 3.7 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 65@4.5V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 8@5V |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 2.8 |
| Typische Gate-Source-Ladung (nC) | 1.2 |
| Typische Umkehr-Erholungsladung (nC) | 11 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 633@10V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 110@10V |
| Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 0.4 |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 145 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 1300 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 381 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 48 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 588 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 350 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 22 |
| Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W) | 100 |
| Typische Gate-Plateau-Spannung (V) | 1.9 |
| Typische Sperrerholungszeit (ns) | 29 |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 1.2 |
| Typische Gate-Schwellwertspannung (V) | 0.55 |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 12 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 1.02(Max) |
| Verpackungsbreite | 1.4(Max) |
| Verpackungslänge | 3.04(Max) |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Standard-Verpackungsname | SOT |
| Lieferantenverpackung | SOT-23 |
| Stiftanzahl | 3 |
| Leitungsform | Gull-wing |
