| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single Quad Drain Triple Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 25 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 16 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 81.7 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 0.58@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 61@4.5V|134@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 134 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 10850@10V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 6250 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 9|16 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 24|95 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 53|47 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 19|51 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 1.07(Max) |
| Verpackungsbreite | 5.89 |
| Verpackungslänge | 4.9 |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Lieferantenverpackung | PowerPAK SO EP |
| Stiftanzahl | 8 |
