| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.21.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Typ | NPN |
| Kategorie | Bipolar Power |
| Material | Si |
| Konfiguration | Single |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Kollektor-Basis-Spannung (V) | 75 |
| Max. Kollektor-Emitterspannung (V) | 50 |
| Max. Emitter-Basis-Spannung (V) | 7 |
| Max. Basis-Emitter-Sättigungsspannung (V) | 1.3@15mA@150mA |
| Operating Junction Temperature (°C) | -65 to 200 |
| Max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V) | 1.5@15mA@150mA |
| Max. DC-Kollektorstrom (A) | 0.5 |
| Max. Kollektorsperrstrom (nA) | 10 |
| Mindestgleichstromverstärkung | 100@150mA@10V|20@10uA@10V|35@100uA@10V|40@500mA@10V|75@10mA@10V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 800 |
| Max. Übergangsfrequenz (MHz) | 70(Min) |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -65 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 200 |
| Durchmesser | 9.4(Max) |
| Befestigung | Through Hole |
| Verpackungshöhe | 6.6(Max) |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Standard-Verpackungsname | TO |
| Lieferantenverpackung | TO-39 |
| Stiftanzahl | 3 |
| Leitungsform | Through Hole |
