| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.21.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Material | Si |
| Konfiguration | Single |
| Typ | JFET |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 25 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 25 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 0.03 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 200 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 20000 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 5@15V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 1@15V |
| Typische Ausgangskapazität bei Vds (pF) | 2@15V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 310 |
| Typischer Leistungsgewinn (dB) | 30(Max) |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -65 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Befestigung | Through Hole |
| Verpackungshöhe | 5.33(Max) |
| Verpackungsbreite | 4.19(Max) |
| Verpackungslänge | 5.21(Max) |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Standard-Verpackungsname | TO |
| Lieferantenverpackung | TO-92 |
| Stiftanzahl | 3 |
