| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| SVHC | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single |
| Prozesstechnologie | TMOS |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 60 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 30 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.5 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -65 to 150 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 0.3 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 5000@10V |
| Typische Umkehr-Erholungsladung (nC) | 30 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 31@10V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 3.5@10V |
| Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 1 |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 6.8 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 830 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -65 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 30 |
| Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 1.2 |
| Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W) | 350 |
| Typische Dioden-Durchlassspannung (V) | 0.85 |
| Typische Sperrerholungszeit (ns) | 30 |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 1.2 |
| Typische Gate-Schwellwertspannung (V) | 2 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 1(Max) |
| Verpackungsbreite | 1.4(Max) |
| Verpackungslänge | 3(Max) |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Standard-Verpackungsname | SOT |
| Lieferantenverpackung | SOT-23 |
| Stiftanzahl | 3 |
| Leitungsform | Gull-wing |
