RoHS EU | Compliant with Exemption |
ECCN (USA) | EAR99 |
Part Status | Active |
Automotive | No |
PPAP | No |
Kategorie | Power MOSFET |
Konfiguration | Single |
Kanalmodus | Enhancement |
Kanalart | N |
Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
Max. Drain-Source-Spannung (V) | 250 |
Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 18 |
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 250@10V |
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 850@10V |
Max. Leistungsaufnahme (mW) | 35000 |
Typische Abfallzeit (ns) | 80 |
Typische Anstiegszeit (ns) | 50 |
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 65 |
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 20 |
Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
Befestigung | Through Hole |
Verpackungshöhe | 16 |
Verpackungsbreite | 4.2 |
Verpackungslänge | 10 |
Leiterplatte geändert | 3 |
Tab | Tab |
Standard-Verpackungsname | TO |
Lieferantenverpackung | TO-220F |
Stiftanzahl | 3 |
Leitungsform | Through Hole |