| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Obsolete |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Material | Si |
| Konfiguration | Single Dual Gate |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 12.5 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±8 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 0.03 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 2.5@6V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 0.02@6V |
| Typischer Vorwärtsgegenwirkleitwert (S) | 0.0235 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 100 |
| Typischer Leistungsgewinn (dB) | 26 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 125 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.95 |
| Verpackungsbreite | 1.25 |
| Verpackungslänge | 2 |
| Leiterplatte geändert | 4 |
| Lieferantenverpackung | USQ |
| Stiftanzahl | 4 |
