| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | NRND |
| HTS | 8541.29.00.75 |
| SVHC | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Betriebsweise | 1-Carrier W-CDMA |
| Prozesstechnologie | LDMOS |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 70 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 10 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 2 |
| Max. Stehwellenverhältnis (VSWR) | 10 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 1000 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 10 |
| Ausgabeleistung (W) | 30(Typ) |
| Typischer Leistungsgewinn (dB) | 21.5 |
| Max. Frequenz (MHz) | 960 |
| Mindestfrequenz (MHz) | 716 |
| Typischer Drain-Wirkungsgrad (%) | 48.5 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -40 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 125 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 4.32(Max) |
| Verpackungsbreite | 9.91(Max) |
| Verpackungslänge | 20.7(Max) |
| Leiterplatte geändert | 5 |
| Lieferantenverpackung | NI-780S |
| Stiftanzahl | 5 |
