| RoHS EU | Compliant with Exemption |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8542.33.00.01 |
| SVHC | Yes |
| SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Typ | MOSFET |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Betriebsweise | 1-Carrier W-CDMA |
| Prozesstechnologie | LDMOS |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 105 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 10 |
| Max. Stehwellenverhältnis (VSWR) | 10 |
| Ausgabeleistung (W) | 2(Typ) |
| Typischer Leistungsgewinn (dB) | 19.1 |
| Max. Frequenz (MHz) | 960 |
| Mindestfrequenz (MHz) | 728 |
| Typischer Drain-Wirkungsgrad (%) | 21.1 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -40 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 2.15(Max) |
| Verpackungsbreite | 8 |
| Verpackungslänge | 8 |
| Leiterplatte geändert | 24 |
| Lieferantenverpackung | HQFN EP |
| Stiftanzahl | 24 |
