| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | NRND |
| HTS | 8541.29.00.75 |
| SVHC | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Typ | MOSFET |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Betriebsweise | 1-Carrier W-CDMA |
| Prozesstechnologie | LDMOS |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 65 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 10 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.2 |
| Max. Stehwellenverhältnis (VSWR) | 10 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 1 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Ausgabeleistung (W) | 93(Typ) |
| Typischer Leistungsgewinn (dB) | 19 |
| Max. Frequenz (MHz) | 1511 |
| Mindestfrequenz (MHz) | 1452 |
| Typischer Drain-Wirkungsgrad (%) | 48.7 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -40 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 3.86(Max) |
| Verpackungsbreite | 10.01(Max) |
| Verpackungslänge | 32.33(Max) |
| Leiterplatte geändert | 7 |
| Lieferantenverpackung | FMF |
| Stiftanzahl | 7 |
