| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | NRND |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| SVHC | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Typ | MOSFET |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Betriebsweise | CW |
| Prozesstechnologie | LDMOS |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 30 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 12 |
| Max. Stehwellenverhältnis (VSWR) | 65 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 95.7@7.5V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 2.4@7.5V |
| Typische Ausgangskapazität bei Vds (pF) | 55.2@7.5V |
| Typischer Vorwärtsgegenwirkleitwert (S) | 9.8 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 6570 |
| Ausgabeleistung (W) | 8.4(Typ) |
| Typischer Leistungsgewinn (dB) | 20.7 |
| Max. Frequenz (MHz) | 941 |
| Mindestfrequenz (MHz) | 136 |
| Typischer Drain-Wirkungsgrad (%) | 73.9 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -40 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.95(Max) |
| Verpackungsbreite | 4 |
| Verpackungslänge | 6 |
| Leiterplatte geändert | 16 |
| Standard-Verpackungsname | SON |
| Lieferantenverpackung | HVSON EP |
| Stiftanzahl | 16 |
