RoHS EU | Compliant with Exemption |
ECCN (USA) | EAR99 |
Part Status | NRND |
HTS | 8541.29.00.75 |
SVHC | Yes |
SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
Automotive | No |
PPAP | No |
Konfiguration | Dual Common Source |
Kanalmodus | Enhancement |
Kanalart | N |
Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
Prozesstechnologie | LDMOS |
Max. Drain-Source-Spannung (V) | 30 |
Max. Gate-Source-Spannung (V) | 12 |
Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.6 |
Max. Stehwellenverhältnis (VSWR) | 65 |
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 600 |
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 10 |
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 75@7.5V |
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 1.7@7.5V |
Typische Ausgangskapazität bei Vds (pF) | 47@7.5V |
Typischer Vorwärtsgegenwirkleitwert (S) | 4.4 |
Max. Leistungsaufnahme (mW) | 125000 |
Ausgabeleistung (W) | 6(Typ) |
Typischer Leistungsgewinn (dB) | 18.3 |
Max. Frequenz (MHz) | 941 |
Mindestfrequenz (MHz) | 136 |
Typischer Drain-Wirkungsgrad (%) | 73 |
Mindestbetriebstemperatur (°C) | -40 |
Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
Verpackung | Tape and Reel |
Befestigung | Surface Mount |
Verpackungshöhe | 1.83(Max) |
Verpackungsbreite | 5.97(Max) |
Verpackungslänge | 6.73(Max) |
Leiterplatte geändert | 3 |
Lieferantenverpackung | PLD-1.5W |
Stiftanzahl | 3 |