| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.75 |
| SVHC | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Konfiguration | Dual Common Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
| Betriebsweise | Pulse |
| Prozesstechnologie | LDMOS |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 112 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 10 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.3 |
| Max. Stehwellenverhältnis (VSWR) | 20 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 1000 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 10 |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 2.5@50V |
| Ausgabeleistung (W) | 1410(Typ) |
| Typischer Leistungsgewinn (dB) | 19.6 |
| Max. Frequenz (MHz) | 1215 |
| Mindestfrequenz (MHz) | 960 |
| Typischer Drain-Wirkungsgrad (%) | 59.7 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -40 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 5.08(Max) |
| Verpackungsbreite | 10.29(Max) |
| Verpackungslänge | 32.39(Max) |
| Leiterplatte geändert | 5 |
| Lieferantenverpackung | NI-1230S |
| Stiftanzahl | 5 |
