RoHS EU | Compliant |
ECCN (USA) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.29.00.95 |
Automotive | Unknown |
PPAP | Unknown |
Kategorie | Power MOSFET |
Konfiguration | Single Quad Drain Triple Source |
Kanalmodus | Enhancement |
Kanalart | N |
Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
Max. Drain-Source-Spannung (V) | 100 |
Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.7 |
Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 8 |
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 10 |
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 23@10V |
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 8@4.5V|16.5@10V |
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 16.5 |
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 1200@50V |
Max. Leistungsaufnahme (mW) | 3100 |
Typische Abfallzeit (ns) | 3 |
Typische Anstiegszeit (ns) | 3 |
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 22 |
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 6 |
Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
Verpackung | Tape and Reel |
Befestigung | Surface Mount |
Verpackungshöhe | 1.5 |
Verpackungsbreite | 3.9 |
Verpackungslänge | 4.9 |
Leiterplatte geändert | 8 |
Standard-Verpackungsname | SO |
Lieferantenverpackung | SOIC |
Stiftanzahl | 8 |
Leitungsform | Gull-wing |