RoHS EU | Compliant |
ECCN (USA) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.29.00.95 |
Automotive | Unknown |
PPAP | Unknown |
Kategorie | Power MOSFET |
Konfiguration | Dual Dual Drain |
Prozesstechnologie | TMOS |
Kanalmodus | Enhancement |
Kanalart | P |
Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
Max. Drain-Source-Spannung (V) | 30 |
Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±25 |
Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.8 |
Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 9 |
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 15@20V |
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 30@10V |
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 30 |
Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 10 |
Typische Gate-Source-Ladung (nC) | 4.6 |
Typische Umkehr-Erholungsladung (nC) | 22 |
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 2060@15V |
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 295@15V |
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 1.7 |
Typische Ausgangskapazität (pF) | 370 |
Max. Leistungsaufnahme (mW) | 2000 |
Typische Abfallzeit (ns) | 12 |
Typische Anstiegszeit (ns) | 9.4 |
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 24 |
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 11 |
Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 50 |
Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W) | 90 |
Typische Dioden-Durchlassspannung (V) | 0.7 |
Typische Gate-Plateau-Spannung (V) | 3 |
Typische Sperrerholungszeit (ns) | 30 |
Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 1 |
Mindest-Gate-Widerstand (Ohm) | 1.2 |
Typische Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.3 |
Max. Gate-Widerstand (Ohm) | 3.6 |
Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 25 |
Befestigung | Surface Mount |
Verpackungshöhe | 1.5 |
Verpackungsbreite | 3.9 |
Verpackungslänge | 4.9 |
Leiterplatte geändert | 8 |
Standard-Verpackungsname | SO |
Lieferantenverpackung | SOIC |
Stiftanzahl | 8 |
Leitungsform | Gull-wing |