| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | Unknown |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Dual Dual Drain |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | P |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 30 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 7.1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 25@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 19@10V|9.6@4.5V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 19 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 1040@15V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 2000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 9 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 5.5 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 26 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 10 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 1.5 |
| Verpackungsbreite | 3.9 |
| Verpackungslänge | 4.9 |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Standard-Verpackungsname | SO |
| Lieferantenverpackung | SOIC |
| Stiftanzahl | 8 |
| Leitungsform | Gull-wing |
