| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | Unknown |
| PPAP | Unknown |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Dual |
| Prozesstechnologie | TMOS |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N|P |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 30@N Channel|20@P Channel |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±12@N Channel|±8@P Channel |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 1.5@N Channel|1@P Channel |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 3.4@N Channel|3.3@P Channel |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 60@10V@N Channel|75@4.5V@P Channel |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 6@4.5V@P Channel|6@10V@N Channel |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 6@N Channel |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 235@15V@N Channel|510@10V@P Channel |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 1250 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 2@N Channel|30@P Channel |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 2.5@N Channel|11@P Channel |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 16@N Channel|60@P Channel |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 1.5@N Channel|11@P Channel |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 1.1 |
| Verpackungsbreite | 1.6 |
| Verpackungslänge | 2.9 |
| Leiterplatte geändert | 6 |
| Standard-Verpackungsname | SO |
| Lieferantenverpackung | TSOP |
| Stiftanzahl | 6 |
