| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.21.00.80 |
| Automotive | Unknown |
| PPAP | Unknown |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single |
| Prozesstechnologie | TrenchFET |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 30 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±12 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 1.4 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 1.7 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 55@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 10@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 10 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 235@15V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 350 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 2.5 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 1.5 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 17.5 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 3.5 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.9 |
| Verpackungsbreite | 1.3 |
| Verpackungslänge | 2.1 |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Standard-Verpackungsname | SOT |
| Lieferantenverpackung | SC-70 |
| Stiftanzahl | 3 |
