| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | Unknown |
| PPAP | Unknown |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Dual |
| Prozesstechnologie | AlphaMOS |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 30 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20@Q 1|±12@Q 2 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.1@Q 1|1.9@Q 2 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 22@Q 1|85@Q 2 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 4.3@10V@Q 1|0.83@10V@Q 2 |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 42@4.5V@Q 2|95@10V|7@4.5V@Q 1|15@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 15@Q 1|95@Q 2 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 5560@15V@Q 2|1075@15V@Q 1 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 24000@Q 1|75000@Q 2 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 3@Q 1|13@Q 2 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 4@Q 1|27@Q 2 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 19@Q 1|66.5@Q 2 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 4.5@Q 1|12.5@Q 2 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.73 |
| Verpackungsbreite | 6 |
| Verpackungslänge | 5 |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Standard-Verpackungsname | DFN |
| Lieferantenverpackung | DFN EP |
| Stiftanzahl | 8 |
