| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| Automotive | Unknown |
| PPAP | Unknown |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 100 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 58 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 11@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 25@10V|12.5@4.5V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 25 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 1725@50V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 73000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 3.5 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 3 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 23 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 8.5 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Befestigung | Through Hole |
| Verpackungshöhe | 6.1 |
| Verpackungsbreite | 2.29 |
| Verpackungslänge | 6.6 |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Tab | Tab |
| Standard-Verpackungsname | TO |
| Lieferantenverpackung | TO-251B |
| Stiftanzahl | 3 |
