RoHS EU | Compliant |
ECCN (USA) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.29.00.95 |
Automotive | No |
PPAP | No |
Konfiguration | Single |
Kanalmodus | Enhancement |
Kanalart | N |
Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
Prozesstechnologie | VDMOS |
Max. Drain-Source-Spannung (V) | 500 |
Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±30 |
Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 5 |
Max. Stehwellenverhältnis (VSWR) | 10 |
Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 9 |
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 25 |
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 1200@50V |
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 9@50V |
Typische Ausgangskapazität bei Vds (pF) | 140@50V |
Typischer Vorwärtsgegenwirkleitwert (S) | 6 |
Max. Leistungsaufnahme (mW) | 180000 |
Ausgabeleistung (W) | 100 |
Typischer Leistungsgewinn (dB) | 15 |
Max. Frequenz (MHz) | 100 |
Typische Abfallzeit (ns) | 4 |
Typische Anstiegszeit (ns) | 4.1 |
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 12.8 |
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 5.1 |
Typischer Drain-Wirkungsgrad (%) | 65 |
Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
Verpackung | Tube |
Befestigung | Through Hole |
Verpackungshöhe | 21.46(Max) |
Verpackungsbreite | 5.31(Max) |
Verpackungslänge | 16.26(Max) |
Leiterplatte geändert | 3 |
Tab | Tab |
Standard-Verpackungsname | TO |
Lieferantenverpackung | TO-247 |
Stiftanzahl | 3 |
Leitungsform | Through Hole |