| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Konfiguration | Dual Common Quad Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
| Prozesstechnologie | VDMOS |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 500 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±30 |
| Max. Stehwellenverhältnis (VSWR) | 5 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 10 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 780@50V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 7@50V |
| Typische Ausgangskapazität bei Vds (pF) | 125@50V |
| Typischer Vorwärtsgegenwirkleitwert (S) | 3.6 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 910000 |
| Ausgabeleistung (W) | 900 |
| Typischer Leistungsgewinn (dB) | 16 |
| Max. Frequenz (MHz) | 150 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 4 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 4.1 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 12 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 5.1 |
| Typischer Drain-Wirkungsgrad (%) | 55 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Verpackung | Box |
| Befestigung | Screw |
| Verpackungshöhe | 7.62 |
| Verpackungsbreite | 14.5 |
| Verpackungslänge | 38.1 |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Lieferantenverpackung | T3A |
| Stiftanzahl | 8 |
