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Infineon Technologies AGBFR740L3RHE6327XTSA1HF-BJT
Trans RF BJT NPN 4V 0.04A 160mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TSLP T/R
| Compliant | |
| EAR99 | |
| Active | |
| 8541.29.00.95 | |
| Automotive | Unknown |
| PPAP | Yes |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungsbreite | 1 mm |
| Verpackungslänge | 0.6 mm |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Standard-Verpackungsname | TSLP |
| Lieferantenverpackung | TSLP |
| 3 | |
| Leitungsform | No Lead |
Look no further than the BFR740L3RHE6327XTSA1 RF bi-polar junction transistor, developed by Infineon Technologies, which can offer high radio frequency power compatibility. This RF transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C.
| EDA / CAD Models |
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