| RoHS EU | Not Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | NRND |
| HTS | EA |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Typ | NPN |
| Material | Si |
| Konfiguration | Dual Common Emitter |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
| Max. Kollektor-Basis-Spannung (V) | 20 |
| Max. Kollektor-Emitterspannung (V) | 12 |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannungsbereich (V) | <20 |
| Max. Emitter-Basis-Spannung (V) | 2 |
| Max. DC-Kollektorstrom (A) | 0.08 |
| Max. DC-Kollektorstrombereich (A) | 0.06 to 0.12 |
| Vorspannungsbedingungen im Betrieb | 5V/50mA |
| Mindestgleichstromverstärkung | 50@30mA@8V |
| Mindest-Gleichstromverstärkungsbereich | 50 to 120 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 580 |
| Typischer Leistungsgewinn (dB) | 13.5 |
| Max. Übergangsfrequenz (MHz) | 8000(Typ) |
| Max. Rauschmaß (dB) | 2.9 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -65 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 200 |
| Verpackung | Box |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.95 |
| Verpackungsbreite | 1.78 |
| Verpackungslänge | 1.78 |
| Leiterplatte geändert | 4 |
| Lieferantenverpackung | Micro-X1 |
| Stiftanzahl | 4 |
