Bourns-BIDW75N65ES5 IGBT-Chip Insulated Gate Bipolar Transistor

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BournsBIDW75N65ES5IGBT-Chip

Insulated Gate Bipolar Transistor

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Symbols and Footprints

Compliant

EAR99

Active

EA

Befestigung

Through Hole

Verpackungshöhe

21

Verpackungsbreite

5

Verpackungslänge

15.8

Leiterplatte geändert

3

Tab

Tab

Lieferantenverpackung

TO-247

3

EDA / CAD Models

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Vereinigte Staaten von Amerika
Date Code:
2350+
Manufacturer Lead Time:
16 Wochen
Country Of origin:
China
- In Stock: 3.000 Stück
- Price: 3,7879 €