| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Unconfirmed |
| HTS | 8541.29.00.75 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Konfiguration | Single |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Betriebsweise | Pulsed RF |
| Prozesstechnologie | LDMOS |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 100 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 13 |
| Max. Stehwellenverhältnis (VSWR) | 10 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 54 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 120@5.95V |
| Typischer Vorwärtsgegenwirkleitwert (S) | 3.5 |
| Ausgabeleistung (W) | 500(Min) |
| Typischer Leistungsgewinn (dB) | 17 |
| Max. Frequenz (MHz) | 1200 |
| Mindestfrequenz (MHz) | 960 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 6 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 20 |
| Typischer Drain-Wirkungsgrad (%) | 50 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -65 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 200 |
| Verpackung | Blister |
| Befestigung | Screw |
| Verpackungshöhe | 4.83(Max) |
| Verpackungsbreite | 13.84(Max) |
| Verpackungslänge | 34.16(Max) |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Lieferantenverpackung | CDFM |
| Stiftanzahl | 3 |
