| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Unconfirmed |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Konfiguration | Dual Common Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
| Betriebsweise | CW|Pulsed RF |
| Prozesstechnologie | LDMOS |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 110 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 11 |
| Max. Stehwellenverhältnis (VSWR) | 13 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 88 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 70(Typ)@6V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 403@50V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 3@50V |
| Typische Ausgangskapazität bei Vds (pF) | 138@50V |
| Ausgabeleistung (W) | 1200 |
| Typischer Leistungsgewinn (dB) | 24 |
| Max. Frequenz (MHz) | 225 |
| Typischer Drain-Wirkungsgrad (%) | 71 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -65 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 225 |
| Verpackung | Bulk |
| Befestigung | Screw |
| Verpackungshöhe | 4.7(Max) |
| Verpackungsbreite | 10.29(Max) |
| Verpackungslänge | 41.28(Max) |
| Leiterplatte geändert | 5 |
| Lieferantenverpackung | SOT-539A |
| Stiftanzahl | 5 |
