| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Unconfirmed |
| HTS | 8541.29.00.75 |
| Automotive | Unknown |
| PPAP | Unknown |
| Konfiguration | Single |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Betriebsweise | 1-Carrier W-CDMA|2-Carrier W-CDMA |
| Prozesstechnologie | LDMOS |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 65 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 13 |
| Max. Stehwellenverhältnis (VSWR) | 10 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 400(Typ)@6.15V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 0.5@28V |
| Typischer Vorwärtsgegenwirkleitwert (S) | 0.5 |
| Ausgabeleistung (W) | 10 |
| Typischer Leistungsgewinn (dB) | 19.3 |
| Max. Frequenz (MHz) | 2170 |
| Mindestfrequenz (MHz) | 2110 |
| Typischer Drain-Wirkungsgrad (%) | 31 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -65 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 225 |
| Verpackung | Bulk |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 2.95(Max) |
| Verpackungsbreite | 4.14(Max) |
| Verpackungslänge | 5.16(Max) |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Standard-Verpackungsname | DIP |
| Lieferantenverpackung | CDIP SMD |
| Stiftanzahl | 3 |
