| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Unconfirmed |
| HTS | 8541.29.00.75 |
| Konfiguration | Dual Common Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
| Betriebsweise | 2-Tone Class-AB|DVB-T |
| Prozesstechnologie | LDMOS |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 104 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 11 |
| Max. Stehwellenverhältnis (VSWR) | 40(Min) |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 240(Typ)@6.15V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 105@50V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 0.7@50V |
| Typische Ausgangskapazität bei Vds (pF) | 34@50V |
| Ausgabeleistung (W) | 150(Min) |
| Typischer Leistungsgewinn (dB) | 21 |
| Max. Frequenz (MHz) | 860 |
| Mindestfrequenz (MHz) | 470 |
| Typischer Drain-Wirkungsgrad (%) | 46 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -65 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 200 |
| Verpackung | Bulk |
| Befestigung | Screw |
| Verpackungshöhe | 4.75(Max) |
| Verpackungsbreite | 9.91(Max) |
| Verpackungslänge | 34.16(Max) |
| Leiterplatte geändert | 5 |
| Lieferantenverpackung | CDFM |
| Stiftanzahl | 5 |
