RoHS EU | Compliant |
ECCN (USA) | EAR99 |
Part Status | Unconfirmed |
HTS | 8541.29.00.75 |
Automotive | Unknown |
PPAP | Unknown |
Konfiguration | Dual Common Source |
Kanalmodus | Enhancement |
Kanalart | N |
Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
Betriebsweise | Class AB |
Prozesstechnologie | LDMOS |
Max. Drain-Source-Spannung (V) | 104 |
Max. Gate-Source-Spannung (V) | 11 |
Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.4 |
Max. Stehwellenverhältnis (VSWR) | 40 |
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 280 |
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 2.8 |
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 120(Typ)@6.15V |
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 210@50V |
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 1.3@50V |
Typische Ausgangskapazität bei Vds (pF) | 70@50V |
Ausgabeleistung (W) | 250(Typ) |
Typischer Leistungsgewinn (dB) | 21 |
Max. Frequenz (MHz) | 806 |
Mindestfrequenz (MHz) | 470 |
Typischer Drain-Wirkungsgrad (%) | 45 |
Mindestbetriebstemperatur (°C) | -65 |
Max. Betriebstemperatur (°C) | 225 |
Verpackung | Bulk |
Befestigung | Surface Mount |
Verpackungshöhe | 4.7(Max) |
Verpackungsbreite | 10.29(Max) |
Verpackungslänge | 32.77(Max) |
Leiterplatte geändert | 5 |
Standard-Verpackungsname | SOT |
Lieferantenverpackung | SOT-539B |
Stiftanzahl | 5 |