| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.75 |
| Konfiguration | Dual Common Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
| Betriebsweise | Pulsed RF |
| Prozesstechnologie | LDMOS |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 135 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 11 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.33 |
| Max. Stehwellenverhältnis (VSWR) | 65 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 140 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1.4 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 290(Typ)@6.08V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 161@50V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 1.3@50V |
| Typische Ausgangskapazität bei Vds (pF) | 53@50V |
| Ausgabeleistung (W) | 350 |
| Typischer Leistungsgewinn (dB) | 27.5 |
| Max. Frequenz (MHz) | 600 |
| Mindestfrequenz (MHz) | 10 |
| Typischer Drain-Wirkungsgrad (%) | 75 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -65 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 225 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 3.6 |
| Verpackungsbreite | 9.96 |
| Verpackungslänge | 20.57 |
| Leiterplatte geändert | 4 |
| Standard-Verpackungsname | SO |
| Lieferantenverpackung | HSOP-F |
| Stiftanzahl | 4 |
