| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Unconfirmed |
| HTS | 8541.29.00.75 |
| Konfiguration | Dual Common Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
| Betriebsweise | CW |
| Prozesstechnologie | LDMOS |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 104 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 11 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 1.8(Typ) |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 120 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1.2 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 4.28(Typ) |
| Ausgabeleistung (W) | 20(Typ) |
| Typischer Leistungsgewinn (dB) | 22 |
| Max. Frequenz (MHz) | 1400 |
| Mindestfrequenz (MHz) | 10 |
| Typischer Drain-Wirkungsgrad (%) | 58(Max) |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -65 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.82 |
| Verpackungsbreite | 5 |
| Verpackungslänge | 6 |
| Leiterplatte geändert | 12 |
| Standard-Verpackungsname | SON |
| Lieferantenverpackung | HVSON EP |
| Stiftanzahl | 12 |
