| ECCN (USA) | EAR99 |
| HTS | EA |
| Konfiguration | Single |
| Typ | MOSFET |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Betriebsweise | Pulsed RF |
| Prozesstechnologie | LDMOS |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 106 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 11 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 890(Typ)@6.25V |
| Ausgabeleistung (W) | 30 |
| Typischer Leistungsgewinn (dB) | 21 |
| Max. Frequenz (MHz) | 2000 |
| Mindestfrequenz (MHz) | 1 |
| Typischer Drain-Wirkungsgrad (%) | 65 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -65 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 225 |
