| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | EA |
| Konfiguration | Dual Common Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
| Betriebsweise | Pulsed CW |
| Prozesstechnologie | LDMOS |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 65 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 13 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.3 |
| Max. Stehwellenverhältnis (VSWR) | 10 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 140 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1.4 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 1000(Typ)@6.05V |
| Typischer Vorwärtsgegenwirkleitwert (S) | 0.16 |
| Ausgabeleistung (W) | 10 |
| Typischer Leistungsgewinn (dB) | 17 |
| Max. Frequenz (MHz) | 2700 |
| Typischer Drain-Wirkungsgrad (%) | 19 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -65 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 225 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.82 |
| Verpackungsbreite | 4 |
| Verpackungslänge | 6 |
| Leiterplatte geändert | 16 |
| Standard-Verpackungsname | SON |
| Lieferantenverpackung | HVSON EP |
| Stiftanzahl | 16 |
