| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | NRND |
| SVHC | Yes |
| SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Dual |
| Prozesstechnologie | OptiMOS |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 30 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 20 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 2 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 17 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 5@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 6.7@4.5V|13@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 13 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 870@15V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 2500 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 3 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 3.8 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 17 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 3.6 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 1 |
| Verpackungsbreite | 6 |
| Verpackungslänge | 5 |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Standard-Verpackungsname | SON |
| Lieferantenverpackung | TISON EP |
| Stiftanzahl | 8 |
| Leitungsform | No Lead |
