| RoHS EU | Compliant with Exemption |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| SVHC | Yes |
| SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
| Automotive | Yes |
| PPAP | Unknown |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single |
| Prozesstechnologie | TMOS |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 55 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 15 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 110 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 7@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 45@5V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 3960@25V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 203000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 86 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 123 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 131 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 29 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 4.5(Max) |
| Verpackungsbreite | 9.4(Max) |
| Verpackungslänge | 10.3(Max) |
| Leiterplatte geändert | 2 |
| Tab | Tab |
| Lieferantenverpackung | D2PAK |
| Stiftanzahl | 3 |
