| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| SVHC | Yes |
| SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
| Automotive | Yes |
| PPAP | Unknown |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single |
| Prozesstechnologie | TrenchFET |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 40 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 15 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 174 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 4@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 64@5V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 5343@25V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 254000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 132 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 118 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 197 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 44 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 4.5(Max) |
| Verpackungsbreite | 9.4(Max) |
| Verpackungslänge | 10.3(Max) |
| Leiterplatte geändert | 2 |
| Tab | Tab |
| Lieferantenverpackung | D2PAK |
| Stiftanzahl | 3 |
