RoHS EU | Compliant with Exemption |
ECCN (USA) | EAR99 |
Part Status | Active |
SVHC | Yes |
SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
Automotive | Yes |
PPAP | Unknown |
Kategorie | Power MOSFET |
Konfiguration | Single Quad Drain Triple Source |
Prozesstechnologie | TMOS |
Kanalmodus | Enhancement |
Kanalart | N |
Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
Max. Drain-Source-Spannung (V) | 100 |
Max. Gate-Source-Spannung (V) | 10 |
Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.05 |
Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 11.5 |
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 119@10V |
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 8.8@5V |
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 663@25V |
Max. Leistungsaufnahme (mW) | 44000 |
Typische Abfallzeit (ns) | 8.3 |
Typische Anstiegszeit (ns) | 9.1 |
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 14.1 |
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 6.1 |
Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
Temperaturbereich Lieferant | Automotive |
Verpackung | Tape and Reel |
Befestigung | Surface Mount |
Verpackungshöhe | 0.9(Max) |
Verpackungsbreite | 2.6 |
Verpackungslänge | 3.4(Max) |
Leiterplatte geändert | 8 |
Lieferantenverpackung | LFPAK EP |
Stiftanzahl | 8 |