ECCN (USA) | EAR99 |
Part Status | Active |
SVHC | Yes |
SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
Automotive | Yes |
PPAP | Unknown |
Kategorie | Power MOSFET |
Konfiguration | Single Triple Source |
Prozesstechnologie | TMOS |
Kanalmodus | Enhancement |
Kanalart | N |
Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
Max. Drain-Source-Spannung (V) | 100 |
Max. Gate-Source-Spannung (V) | 10 |
Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.1 |
Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 30 |
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 37.5@10V |
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 21.6@5V |
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 1905@25V |
Max. Leistungsaufnahme (mW) | 94900 |
Typische Abfallzeit (ns) | 18 |
Typische Anstiegszeit (ns) | 18 |
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 31 |
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 10 |
Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
Temperaturbereich Lieferant | Automotive |
Verpackung | Tape and Reel |
Befestigung | Surface Mount |
Verpackungshöhe | 1.1(Max) |
Verpackungsbreite | 4.1(Max) |
Verpackungslänge | 5(Max) |
Leiterplatte geändert | 4 |
Tab | Tab |
Lieferantenverpackung | LFPAK |
Stiftanzahl | 5 |