| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| SVHC | Yes |
| SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
| Automotive | Yes |
| PPAP | Yes |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single Triple Source |
| Prozesstechnologie | TMOS |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 60 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 10 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.1 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 100 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 10 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 4.1@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 50@5V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 5890@25V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 238000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 47 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 53 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 80 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 28 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Temperaturbereich Lieferant | Automotive |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 1.1(Max) |
| Verpackungsbreite | 4.1(Max) |
| Verpackungslänge | 5(Max) |
| Leiterplatte geändert | 4 |
| Tab | Tab |
| Lieferantenverpackung | LFPAK |
| Stiftanzahl | 5 |
